政府关系等后台支持。
5 研发部 负责产品开发、定型。
6 德力矽 专门的贸易公司，对外销售母公司昌德微电的半导体芯片和功率器
件产品。
7 生产部 负责公司生产计划下达、执行、检查；日常生产调度、管理；生产
现场管理；产品质量自检。。
8 质量部 负责公司产品技术质量、质量标准、质量管理体系。
9 设备部 负责公司的动力运行维护，保证公司的正常设备动力环境；负责全
公司的生产设备的运行维护。
（二） 主要业务流程
1、 流程图
（1）研发流程
①半导体芯片
②功率器件
（2）采购流程
（3）生产流程
（4）销售流程
2、 外协或外包情况
√适用 □不适用
外协（或外 外协（或外包）成本及其占同类业务环节成本比重 是否对外
外协（或外 包）厂商与公 外协（或外 对外协（或 协（或外
序号 包）厂商名称 司、股东、董 包）定价机 2022 年 1 月 占当年同 占当年同 占当年同 外包）的质 包）厂商存
监高关联关 制 —3 月（万 类业务成 2021 年度 类业务成 2020 年度 类业务成 量控制措施 在依赖
系 元） 本比重 （万元） 本比重 （万元） 本比重
宁 波 德 洲 精
1 密 电 子 有 限 无 市场价格 59.90 2.73% 295.34 2.78% 90.03 1.54% 全检 否
公司
2 无 锡 天 祺 科 无 市场价格 40.55 1.85% 109.56 1.03% 110.89 1.89% 全检 否
技有限公司
国年（昆山）
3 电 子 有 限 公 无 市场价格 0 0% 20.66 0.19% 44.87 0.77% 全检 否
司
无 锡 市 索 亨
4 电 子 有 限 公 无 市场价格 25.88 1.18% 101.30 0.95% 52.00 0.89% 全检 否
司
合计 - - - 126.33 5.76% 526.86 4.96% 297.79 5.09% - -
公司及子公司主要从事半导体芯片和功率器件的研发设计、销售以及半导体芯片的封装、测试，半导体芯片封装过程中的电镀环节对环境保护要求较高，故公司将该生产工序全部委外加工。公司采购晶圆后需要将其划成单粒芯片，即划片，之后公司开始自身的封装、测试工序，基于上述工序投入产出比的考虑，公司将划片工序全部委外加工。
就外协事宜，公司目前已制定《外部提供过程、产品和服务控制程序》。同时，公司对外协加工过程进行严格的规范管理。公司通过定期现场审核的方式对其进行监督，对外协加工进度进行监督检查、考核，对外协加工产品的质量进行验收，以保证外协产品的质量。
就电镀业务，报告期内，公司共有三家外协厂商，分别为宁波德洲精密电子有限公司、无锡天祺科技有限公司、国年（昆山）电子有限公司；就划片业务，公司报告期内的外协厂商为无锡市索亨电子有限公司。公司在选取外协厂商时综合考量其信誉、市场口碑、报价、质量、交货时间等因素，择优选择外协厂商。
根据《固定污染源排污许可分类管理名录》（2019 年版）的规定，电镀业务的外协厂商需要取得排污许可证。宁波德洲精密电子有限公司已取得排污许可证，无锡天祺科技有限公司、国年（昆山）电子有限公司未取得排污许可证，但是根据承包协议记载，无锡天祺科技有限公司、国年（昆山）电子有限公司均承包有资质单位的车间开展经营。为降低公司的采购风险，公司目前已将外协厂商变更为宁波德洲精密电子有限公司、常州市政平电镀有限公司，其均具备排污许可证。
除公司已将存在资质瑕疵的外协厂商进行更换之外，公司与主要外协厂商合作稳定。外协厂商未专门或主要为公司提供服务。公司外协加工的环节为电镀工序和划片工序，该工序不是公司生产过程中的核心工序。而且，电镀业务和划片业务为传统业务，属于充分竞争市场，市场上可供选择的外协厂商较多。同时，公司外协成本金额较小。因此，公司对外协企业不存在重大依赖。
公司与外协厂商不存在关联关系，电镀业务和划片业务均按照市场化定价，具备公允性。公司 2020 年度、2021 年度、2022 年 1-3 月营业收入分别为
7,617.52 万元、14,521.08 万元、2,935.56 万元，因电镀业务和划片业务产生的费用分别为 297.79 万元、526.86 万元、126.33 万元。外协成本与公司的经
营模式、经营能力相匹配，且外协成本金额较小。因此，基于上述电镀业务和划片业务均按照市场化定价，且外协成本金额较小并与公司的经营模式、经营能力相匹配，故公司不存在外协厂商为公司分摊成本、承担费用的情形。
3、 其他披露事项
□适用 √不适用
三、 与业务相关的关键资源要素
（一） 主要技术
√适用 □不适用
序 技术名称 技术特色 技术来源 技术应用情况 是否实现规模
号 化生产
具 有 更 高 的
1 超快恢复二极管 EAS承受能力， 自主研发 应用于超快恢复 是
设计技术 耐冲击、可靠性 二极管的设计
高
更宽的安全工
双极型功率晶体 作区、抗冲击性 应用于双极型功
2 管设计技术 强、可靠性高， 自主研发 率晶体管的设计 是
输出电流大、频
率特性好
提高产品的质
量和可靠性，客
3 TO-3PF 全塑封封 户使用简单、使 自主研发 应用于芯片的封 是
装形式设计开发 用时提高生产 装
效率、降低生产
成本
实现了用同一
种芯片，不同的
TO-220F 全塑封双 引线框使共阴、 应用于芯片的封
4 芯片共阳极封装 共阳产品的电 自主研发 装 是
技术 性参数完全匹
配，大大提升电
路性能
超薄型 IGBT 芯片 突破了设备自 应用于 IGBT 芯
5 封装技术 身瓶颈，拓展了 自主研发 片的封装 是
设备使用范围
实现了双芯片
与单芯片封装
6 二极管单芯片封 能够共用同一 自主研发 应用于芯片的封 是
装技术 付塑封模具，大 装
大提高生产线
的通用性
由原始的手动
作业方式提升
7 TO-220F 框架打弯 到了气动工作 自主研发 应用于芯片的封 是
技术 方式，由打弯不 装
可控提升为打
弯可控
8 超大尺寸芯片粘 大幅提高最大 自主研发 应用于芯片的封 是
片技术 封装芯片尺寸 装
9 绿色环保封装技 绿色环保 自主研发 应用于芯片的封 是
术 装
其他事项披露
□适用 √不适用
（二） 主要无形资产
1、 专利
公司正在申请的专利情况：
√适用 □不适用
序号 专利申请号 专利名称 类型 公开（公告）日 状态 备注
1 202210052888.8 一种高耐压 发明 2022 年 4 月 15 日 实质审查
肖特基芯片 生效
功率集成二 实质审查
2 202110542357.2 极管及其制 发明 2021 年 7 月 20 日 生效
造方法
一 种 实质审查
3 201910674470.9 VDMOS 及 发明 2019 年 10 月 1 日 生效
其制造方法
一 种 实质审查
4 201910674562.7 VDMOS 及 发明 2019 年 10 月 1 
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